半導(dǎo)體關(guān)鍵材料

● 公司掌握高純?yōu)R射靶材的一條龍生產(chǎn)核心技術(shù)，在河南鄭州本部已經(jīng)建成高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)線，產(chǎn)品工藝達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

● 公司鄭州占地200畝（一期50畝）的集成電路產(chǎn)業(yè)園正在建設(shè)中，未來將投產(chǎn)新的靶材產(chǎn)線。

● 2021年公司完成對(duì)新加坡某半導(dǎo)體核心材料制造商的全資并購(gòu)，靶材產(chǎn)品進(jìn)入臺(tái)積電、格羅方德等優(yōu)質(zhì)客戶。

· 國(guó)產(chǎn)替代；

· 知名廠商認(rèn)證通過;

Ru及其合金靶材
1.集成電路阻擋層；2.PMOS器件的跡電極材料；3.動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM和鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM中電容的電極材料；4.應(yīng)用在磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM中；5.硬盤記錄層不可或缺的底層材料。
氧化鎂靶
氧化鎂具有高溫?zé)岱€(wěn)定性、高介電性、低介電損耗及多種襯底晶格匹配良好等優(yōu)點(diǎn)，是作為存儲(chǔ)芯片的主要原料之一。
鐵鈷硼靶
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，其主體結(jié)構(gòu)由三層結(jié)構(gòu)的磁隧道結(jié)構(gòu)成：自由層，固定層和氧化層，其原理是通過改變固定層和自由層的磁矩方向性實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中自由層的材料是CoFeB。
Mg靶
鎂是近年來可以制備并能夠在自然環(huán)境中長(zhǎng)期保存的輕質(zhì)金屬，金屬鎂在各個(gè)行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用也越來越廣泛，很多國(guó)防產(chǎn)品、民用產(chǎn)品都在不同程度上用到了金屬鎂Mg靶材是作為存儲(chǔ)芯片的主要原料之一。
NiPt靶
用于制備NiPt-硅化物觸頭，該觸頭是45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以后最常用的硅化物。被應(yīng)用于肖特基二極管(SBD)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件(CMOS)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和集成電路等領(lǐng)域。