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半導體關(guān)鍵材料

●  公司掌握高純?yōu)R射靶材的一條龍生產(chǎn)核心技術(shù),在河南鄭州本部已經(jīng)建成高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)線(xiàn),產(chǎn)品工藝達到國際領(lǐng)先水平。

●  公司鄭州占地200畝(一期50畝)的集成電路產(chǎn)業(yè)園正在建設中,未來(lái)將投產(chǎn)新的靶材產(chǎn)線(xiàn)。

●  2021年公司完成對新加坡某半導體核心材料制造商的全資并購,靶材產(chǎn)品進(jìn)入臺積電、格羅方德等優(yōu)質(zhì)客戶(hù)。

    ·  國產(chǎn)替代;

    ·  知名廠(chǎng)商認證通過(guò);

    • Ru及其合金靶材

    1.集成電路阻擋層;2.PMOS器件的跡電極材料;3.動(dòng)態(tài)隨機存儲器DRAM和鐵電隨機存取存儲器FRAM中電容的電極材料;4.應用在磁性隨機存儲器MRAM中;5.硬盤(pán)記錄層不可或缺的底層材料。

    • 氧化鎂靶

    • 氧化鎂具有高溫熱穩定性、高介電性、低介電損耗及多種襯底晶格匹配良好等優(yōu)點(diǎn),是作為存儲芯片的主要原料之一。
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    • 鐵鈷硼靶

    • MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器,其主體結構由三層結構的磁隧道結構成:自由層,固定層和氧化層,其原理是通過(guò)改變固定層和自由層的磁矩方向性實(shí)現存儲數據。其中自由層的材料是CoFeB。
    • Mg靶

    • 鎂是近年來(lái)可以制備并能夠在自然環(huán)境中長(cháng)期保存的輕質(zhì)金屬,金屬鎂在各個(gè)行業(yè)內的應用也越來(lái)越廣泛,很多國防產(chǎn)品、民用產(chǎn)品都在不同程度上用到了金屬鎂Mg靶材是作為存儲芯片的主要原料之一。
    • NiPt靶

    • 用于制備N(xiāo)iPt-硅化物觸頭,該觸頭是45nm技術(shù)節點(diǎn)以后最常用的硅化物。被應用于肖特基二極管(SBD)、互補金屬氧化物半導體器件(CMOS)、場(chǎng)效應晶體管(FET)和集成電路等領(lǐng)域。
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